陈长清，男，1971年12月生，汉族，福建省莆田市人，博士研究生学历、博导（“湖北楚天学者计划”入选者）。一直从事第三代宽禁带半导体AlGaN基紫外光电材料与芯片器件领域的研究工作。作为先进半导体材料与器件(ASMD)团队负责人，主导研制的半导体深紫外芯片器件发光功率达到了国际先进水平，并在国际上首次组织实现将光电倍增循环结构单片集成技术应用在深紫外发光二极管（DUV LED: deep ultraviolet LED）芯片领域，获得2019年国际上DUV LED芯片最高电光转换效率值21.6%。主导攻关的高质量半导体AlGaN基紫外探测器材料应用于我国新一代海洋卫星（海洋一号C）的紫外成像系统中服务国计民生，获得国家重大需求认可。先后主持了科技部重点研发计划4项，国家自然科学基金面上项目3项，以及多个省部级科研项目。在科技成果转化方面取得突出成绩，获得“武汉城市合伙人”称号。
